El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría N1 será el siguiente:
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de ensayo se calculará en función de las emisi
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4463
Introducción
Se aplicará el método de calibración de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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