Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2000 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
47A (Tc)
Power Dissipation (Max):
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7848
Introducción
El número de unidades de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción de energía de la unidad de producción.
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