Se trata de un sistema de control de las emisiones.
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
20 mOhm @ 44A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5380 pF @ 50 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
76A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFB4127
Introducción
N-canal 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) a través del orificio TO-220AB
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Común:
MOQ: