Se trata de una prueba de la FDA18N50.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
60 nC a 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
265mOhm @ 9.5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2860 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
UniFET™
Supplier Device Package:
TO-3PN
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Power Dissipation (Max):
239W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDA18
Introducción
N-canal 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) a través del agujero TO-3PN
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Común:
MOQ: