FDMS5672 y sus componentes
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerWDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
45 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
11Las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable deberán ser iguales a las de las
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2800 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
UltraFET™
Supplier Device Package:
8-MLP (5x6), Power56
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.6A (Ta), 22A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMS56
Introducción
N-Canal 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Montaje de superficie 8-MLP (5x6), potencia56
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