Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 5DFN
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 135µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN, 5 Leads
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
52 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4mOhm @ 50A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3600 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
15A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 110W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NTMFS5
Introducción
Se aplican las siguientes medidas:
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: