Se aplicará el método de clasificación de los productos.
fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-263-7, D²Pak (6 conductores + pestaña)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
297 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1.05mOhm @ 90A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15750 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263-7
Mfr:
Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NP180N04
Introducción
N-canal 40 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Montado en la superficie TO-263-7
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Común:
MOQ: