En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
130 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 75A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
55 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Mounting Type:
Through Hole
Series:
UltraFET™
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
75A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
HUF75339
Introducción
N-canal 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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Común:
MOQ: