FDS3692: las condiciones de los productos
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
746 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDS36
Introducción
Se aplicará el método de calibración de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: