Se aplicará a las empresas de servicios de telecomunicaciones.
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
238 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 75A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Last Time Buy
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3790 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
UltraFET™
Paquete de dispositivos del proveedor:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
onsemi
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
75A (Tc)
Power Dissipation (Max):
310W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Base Product Number:
HUF75645
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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