Si el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero no es compatible con el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero debe utilizarse.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 4.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
340 pF @ 20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2318
Introducción
N-canal 40 V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Montado de superficie SOT-23-3 (TO-236)
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