El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
770 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Power Dissipation (Max):
65W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDD120
Introducción
N-Canal 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Montaje de superficie TO-252AA
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