Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
29.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±20V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
900 pF @ 50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
TrenchFET®
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4056
Introducción
N-Canal 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Montaje de superficie 8-SOIC
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