FQP27P06
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
43 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Se aplicarán las siguientes medidas:
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (Max):
±25V
Estado del producto:
Actividad
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Power Dissipation (Max):
120W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP27
Introducción
P-canal 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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Común:
MOQ: