Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Característica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
22 mOhm @ 50A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2020 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
131W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RFP50
Introducción
N-canal 60 V 50 A (Tc) 131 W (Tc) a través del agujero TO-220-3
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: