Si el vehículo no está equipado con un dispositivo de seguridad, el vehículo deberá ser equipado con un dispositivo de seguridad.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
68mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
320 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2300
Introducción
N-canal 30 V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Montado de superficie SOT-23-3 (TO-236)
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