FQB5N90TM
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.3Ohm @ 2.7A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1550 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQB5N90
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: