Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros son las siguientes:
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerWDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
52mOhm @ 7A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1258 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NVTFS5116
Introducción
P-Canal 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Montaje de superficie 8-WDFN (3.3x3.3)
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Común:
MOQ: