FQPF4N90C
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.2Ohm @ 2A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
900 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
960 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220F-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4A (Tc)
Power Dissipation (Max):
47W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQPF4
Introducción
N-canal 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) a través del agujero TO-220F-3
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: