FDP8N50NZ
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
850mOhm @ 4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (máximo):
±25V
Product Status:
Obsolete
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
735 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
UniFET™
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
130W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDP8
Introducción
N-canal 500 V 8A (Tc) 130W (Tc) a través del agujero TO-220-3
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: