Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
175 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 35A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±25V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-3PN
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
330W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQA70
Introducción
N-canal 150 V 70A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-3PN
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Común:
MOQ: