El equipo de seguridad de los EE.UU.
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Type:
N-Channel
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 2.5mA
Series:
POWER MOS 7®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
125 nC @ 10 V
Supplier Device Package:
ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 25.5A, 10V
Mfr:
Microchip Technology
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5590 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
51A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
APT50M75
Introducción
Se aplicará el método de calibración de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

No se puede hacer nada.
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
Imagen | parte # | Descripción | |
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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo |
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
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No se puede hacer nada. |
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
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