Se aplicarán los siguientes requisitos:
fabricante:
NXP EE.UU. Inc.
Descripción:
PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
65.6 nC @ 10 V
Estado del producto:
Actividad
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4640 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21.5mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
NXP USA Inc.
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Power Dissipation (Max):
147W (Tc)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
49A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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