Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
82 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Not For New Designs
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3175 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
SuperFET® II
Supplier Device Package:
TO-220-3
El Sr.:
En el caso de las
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
208W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FCP190
Introducción
N-canal 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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Común:
MOQ: