Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será igual al valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI4933DY-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si el producto no es compatible con el mercado, el valor de los productos incluidos en el anexo I de
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI4933DY-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Tiempo de subida:
47 ns
Envasado:
SOIC
Disposición del poder:
1,1 vatios
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
320 ns
Disposición máxima de energía:
1,1 vatios
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
8 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
-12 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un producto de la industria de la energía, el producto de la industria de la energía
Cuánto tiempo:
308 En stock
Aplicaciones:
Aeroespacial y defensa
Punto de venta electrónico (EPOS)
PC y portátiles
Tiempo de caída:
47 ns
Rds en el máximo:
14 mΩ
Número de pines:
8
Voltado de umbral:
400 milivoltio
Tiempo de retraso de abertura:
35 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
14 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
7,4 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
12 V
Introducción
SI4933DY-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI4933DY-T1-E3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI4933DY-T1-E3 es ampliamente utilizado en el sector aeroespacial y de defensa, punto de venta electrónico (EPOS), PC y portátiles.Tensión y otros distribuidores. SI4933DY-T1-E3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI4933DY-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI4933DY-T1-E3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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