Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 20% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI7958DP-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI7958DP-T1-E3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI7958DP-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1.04 mm
Peso:
506.605978 mg
Tiempo de subida:
17 ns
Resistencia:
16.5 mΩ
Envasado:
SOIC
Disposición del poder:
1,4 vatios
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
17 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
16.5 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
7.2 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
40 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
322 En stock
Aplicaciones:
Electrónica del cuerpo y iluminación
Punto de venta electrónico (EPOS)
Artículos portátiles (no médi
Ancho:
5.89 mm
Duración:
4,9 milímetros
Tiempo de caída:
17 ns
Rds en el máximo:
16.5 mΩ
Vgs nominal:
3 V
Número de pines:
8
Voltado de umbral:
3 V
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
66 ns
Disposición máxima de energía:
1,4 vatios
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
20 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Introducción
SI7958DP-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI7958DP-T1-E3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI7958DP-T1-E3 es ampliamente utilizado en electrónica corporal y iluminación, punto de venta electrónico (EPOS), wearables (no médicos).Tensión y otros distribuidores. SI7958DP-T1-E3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI7958DP-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI7958DP-T1-E3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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