El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría M2 es el siguiente:
Descripción:
SI4952DY-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto del
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría M2 es el siguiente:
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si se trata de un producto de la categoría II, se utilizará el término "producto" para designar el p
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI4952DY-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1.55 mm
Peso:
1860,993455 mg.
Tiempo de subida:
50 ns
Vgs nominal:
2,2 V
Número de pines:
8
Disposición del poder:
1,8 W
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
15 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
23 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
7 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
25 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
737 en stock
Aplicaciones:
Electrónica del cuerpo y iluminación
Automatización de edificios
Almacenamiento de datos
Ancho:
4mm
Duración:
5 milímetros
Tiempo de caída:
50 ns
Rds en el máximo:
23 mΩ
Envasado:
SOIC
Capacitancia entrada:
680 pF
Voltado de umbral:
2,2 V
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
20 ns
Disposición máxima de energía:
1,8 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
16 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Introducción
SI4952DY-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI4952DY-T1-GE3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. SI4952DY-T1-GE3 es ampliamente utilizado en electrónica corporal y iluminación, automatización de edificios, almacenamiento de datos. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans, Tenssion y otros distribuidores.SI4952DY-T1-GE3 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI4952DY-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansAsí que usted puede pedir SI4952DY-T1-GE3 de los fanáticos con confianza.TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
Si4952dy.pdf
Si4952dy.pdf
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: