Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será igual al valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI5915DC-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de los Esta
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI5915DC-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1,1 milímetros
Peso:
84.99187 mg
Tiempo de subida:
70 ns
Envasado:
DSM/SMT
Disposición del poder:
2.1 W
Tiempo de retraso de abertura:
20 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
mΩ 70
Corriente continua del dren (identificación):
3,4 A
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
228 En stock
Aplicaciones:
Modulo de datos
Automatización de edificios
Periféricos y impresoras conectados
Ancho:
1,65 milímetros
Duración:
3.05 mm
Tiempo de caída:
70 ns
Rds en el máximo:
mΩ 70
Número de pines:
8
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
35 ns
Disposición máxima de energía:
1,1 vatios
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
8 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
8 V
Introducción
SI5915DC-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI5915DC-T1-E3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI5915DC-T1-E3 es ampliamente utilizado en módulos de Datacom, automatización de edificios, periféricos conectados y impresoras.Tensión y otros distribuidores. SI5915DC-T1-E3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI5915DC-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI5915DC-T1-E3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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