Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones
Descripción:
SI3909DV-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto del
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI3909DV-T1-GE3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI3909DV-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Resistencia:
200 mΩ
Número de canales:
2
Disposición máxima de energía:
1.15 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un producto de la Unión, se debe tener en cuenta el contenido de la sustancia.
Cuánto tiempo:
860 En stock
Aplicaciones:
Automatización de edificios
Centro de datos y computación empresarial
Productos electrónicos portáti
Peso:
19.986414 mg
Rds en el máximo:
200 mΩ
Envasado:
TSOP
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
200 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
1.8 A
Introducción
SI3909DV-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI3909DV-T1-GE3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI3909DV-T1-GE3 es ampliamente utilizado en la automatización de edificios, centros de datos y computación empresarial, electrónica portátil.Tensión y otros distribuidores. SI3909DV-T1-GE3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI3909DV-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI3909DV-T1-GE3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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