Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 20% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI4972DY-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de l
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si se utiliza el formulario ISOFIX, el formulario ISOFIX se utilizará en el formulario ISOFIX.
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI4972DY-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1,5 milímetros
Peso:
506.605978 mg
Embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds en el máximo:
14.5 mΩ
Número de pines:
8
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
22 ns
Disposición máxima de energía:
2,5 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
20 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un producto de la industria de la energía, se debe tener en cuenta que el producto de
Cuánto tiempo:
527 En stock
Aplicaciones:
Información y entretenimiento
Automatización y control de fábrica
Periféricos y impresoras conectado
Ancho:
4mm
Duración:
5 milímetros
Tiempo de caída:
26 ns
Tiempo de subida:
130 ns
Envasado:
SOIC
Capacitancia entrada:
1.08 nF
Tiempo de retraso de abertura:
108 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
26.5 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
7.2 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
30 V
Introducción
SI4972DY-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI4972DY-T1-GE3 y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI4972DY-T1-GE3 es ampliamente utilizado en Infotainment & Cluster, Automatización y Control de Fábricas, Periféricos y Printeras Conectados.Tensión y otros distribuidores. SI4972DY-T1-GE3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI4972DY-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI4972DY-T1-GE3 de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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