Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI4562DY-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de l
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si se ha producido un fallo de seguridad, se deberá presentar una solicitud de autorización.
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI4562DY-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1.55 mm
Peso:
1860,993455 mg.
Tiempo de subida:
32 ns
Envasado:
TAN
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
95 ns
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
33 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
7.1 A
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
257 En stock
Aplicaciones:
Información y entretenimiento
Centro de datos y computación empresarial
Cine en casa y entretenimien
Ancho:
4mm
Duración:
5 milímetros
Tiempo de caída:
45 ns
Rds en el máximo:
mΩ 25
Número de pines:
8
Tiempo de retraso de abertura:
27 ns
Disposición máxima de energía:
2 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
SI4562DY-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI4562DY-T1-GE3 y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. SI4562DY-T1-GE3 es ampliamente utilizado en Infotainment & Cluster, Data Center & Enterprise Computing, Home Theater & Entertainment. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans,Tensión y otros distribuidores. SI4562DY-T1-GE3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI4562DY-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI4562DY-T1-GE3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
70717.pdf
70717.pdf
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: