SI1912EDH-T1-E3
Descripción:
SI1912EDH-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de l
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
SI1912EDH-T1-E3
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI1912EDH-T1-E3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI1912EDH-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.00
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
µm 900
Tiempo de caída:
85 ns
Tiempo de subida:
85 ns
Resistencia:
280 mΩ
Envasado:
Se trata de la SOT-363.
Disposición del poder:
570 mW
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
350 ns
Disposición máxima de energía:
570 mW
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
905 En stock
Aplicaciones:
Sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS)
Infraestructura de la red
Proyectores para empr
Ancho:
1,25 mm
Duración:
2,05 milímetros
Embalaje:
Cortar la cinta
Rds en el máximo:
280 mΩ
Vgs nominal:
450 milivoltio
Número de pines:
6
Voltado de umbral:
450 milivoltio
Tiempo de retraso de abertura:
45 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
280 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
1.28 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
20 V
Introducción
SI1912EDH-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI1912EDH-T1-E3 y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI1912EDH-T1-E3 es ampliamente utilizado en sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS), infraestructura de red, proyectores de empresa.Tensión y otros distribuidores. SI1912EDH-T1-E3 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI1912EDH-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI1912EDH-T1-E3 de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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