Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual a 0,9%.
Descripción:
SI3900DV-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI3900DV-T1-E3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI3900DV-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.64
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1 milímetro
Peso:
19.986414 mg
Tiempo de subida:
30 ns
Resistencia:
125 mΩ
Vgs nominal:
600 milivoltio
Número de pines:
6
Voltado de umbral:
600 milivoltio
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
14 ns
Disposición máxima de energía:
830 mW
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
4995 En stock
Aplicaciones:
Punto de venta electrónico (EPOS)
Prueba y medición
Las tabletas
Ancho:
1,65 milímetros
Duración:
3.05 mm
Tiempo de caída:
30 ns
Rds en el máximo:
125 mΩ
Horario B:
8541210080
Envasado:
TSOP
Disposición del poder:
830 mW
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
10 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
125 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
2 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
SI3900DV-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI3900DV-T1-E3 y hojas de datos para referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI3900DV-T1-E3 es ampliamente utilizado en el punto de venta electrónico (EPOS), prueba y medición, tabletas.SI3900DV-T1-E3 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI3900DV-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansAsí que usted puede pedir SI3900DV-T1-E3 de los fanáticos con confianza.TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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