Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 20% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión.
Descripción:
SI1034X-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI1034X-T1-GE3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI1034X-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.46
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
600 μm
Peso:
32.006612 mg
Tiempo de subida:
25 ns
Resistencia:
10 Ω
Vgs nominal:
1.2 V
Número de pines:
3
Disposición del poder:
250 mW
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
50 ns
Disposición máxima de energía:
250 mW
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
5 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Cuánto tiempo:
5925 En stock
Aplicaciones:
Centro de datos y computación empresarial
Aeroespacial y defensa
Iluminación
Ancho:
1.2 MM
Duración:
1,7 milímetros
Tiempo de caída:
25 ns
Rds en el máximo:
5 Ω
Horario B:
8541210080
Envasado:
SC
Plastificación de contacto:
De hojalata
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
50 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
5 Ω
Corriente continua del dren (identificación):
200 mA
Drene al voltaje de avería de la fuente:
20 V
Introducción
SI1034X-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI1034X-T1-GE3 y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completaSI1034X-T1-GE3 es ampliamente utilizado en el centro de datos y la computación empresarial, aeroespacial y defensa, iluminación. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores.SI1034X-T1-GE3 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI1034X-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI1034X-T1-GE3 de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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