Las condiciones de ensayo de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
Descripción:
BSG0811NDATMA1 hoja de datos pdf y Transistores - FET, MOSFET - Arrays detalles del producto de IR (
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Las condiciones de ensayo de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
Fabricante:
IR (Tecnologías Infineon)
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sist
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
BSG0811NDATMA1 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
Dos dólares.36
En el caso de la:
Fabricante: IR (Infineon Technologies).
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicac
El Monte:
Montura de la superficie
Embalaje:
Cintas y bobinas
Horario B:
8541290080
Cantidad del paquete:
5000
Disposición del poder:
2,5 W
Resistencia del En-estado:
mΩ 1,1
Max Dual Supply Voltage:
25 V
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
16 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
25 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuánto tiempo:
8679 En stock
Aplicaciones:
Infraestructura de la red
Aeroespacial y defensa
Conexión por cable
Alturas:
1,15 mm
Rds en el máximo:
3 MΩ
Número de pines:
8
Capacitancia entrada:
780 pF
Número de canales:
2
Disposición máxima de energía:
2,5 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
2.4 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
41 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Introducción
BSG0811NDATMA1 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos BSG0811NDATMA1 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. BSG0811NDATMA1 es ampliamente utilizado en infraestructura de red, aeroespacial y defensa, redes con cable. Es fabricado por IR (Infineon Technologies) y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores.BSG0811NDATMA1 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de BSG0811NDATMA1 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir BSG0811NDATMA1 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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