Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.
Descripción:
SI3993CDV-T1-GE3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
SI3993CDV-T1-GE3 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI3993CDV-T1-GE3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.51
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Peso:
19.986414 mg
Embalaje:
Cortar la cinta
Rds en el máximo:
111 mΩ
Vgs nominal:
-1,2 V
Número de pines:
6
Capacitancia entrada:
210 PF
Voltado de umbral:
-1,2 V
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
14 ns
Disposición máxima de energía:
1,4 vatios
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
20 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
-30 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Los resultados de la evaluación de la seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad de los si
Cuánto tiempo:
6219 En stock
Aplicaciones:
Teléfonos móviles
Conexión por cable
Automatización y control de fábrica
Alturas:
1,1 milímetros
Tiempo de caída:
12 ns
Tiempo de subida:
16 ns
Horario B:
8541290080
Envasado:
TSOP
Plastificación de contacto:
De hojalata
Disposición del poder:
W 1,14
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
5 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
92 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
-2,9 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
-30 V
Introducción
SI3993CDV-T1-GE3 Visión general\\nSI3993CDV-T1-GE3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición SI3993CDV-T1-GE3 y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. SI3993CDV-T1-GE3 es ampliamente utilizado en teléfonos móviles, redes con cable, automatización y control de fábricas. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans, Tenssion y otros distribuidores.SI3993CDV-T1-GE3 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI3993CDV-T1-GE3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI3993CDV-T1-GE3 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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