En el caso de las entidades financieras, el importe de las contribuciones de las entidades financieras será el siguiente:
Descripción:
CSD85312Q3E ficha de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays detalles del producto del sto
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
En el caso de las entidades financieras, el importe de las contribuciones de las entidades financier
Fabricante:
Las acciones de Texas Instruments
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Las empresas de seguros de vida y de seguros de vida se beneficiarán de los beneficios de los seguro
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
CSD85312Q3E Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.95
En el caso de la:
Producido por Texas Instruments.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1 milímetro
Tiempo de caída:
6 años
Tiempo de subida:
27 ns
Rds en el máximo:
12.4 mΩ
Número de pines:
8
Capacitancia entrada:
2.39 nF
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
11 ns
Disposición máxima de energía:
2,5 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
10 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, el número de unidades de producción e
Cuánto tiempo:
517 En stock
Aplicaciones:
Acceso de línea fija de banda ancha
Automatización de edificios
Punto de venta electrónico (EPOS)
Ancho:
3,3mm
Duración:
3,3mm
Embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
El grosor:
µm 900
Horario B:
8541290080
Plastificación de contacto:
El oro
Disposición del poder:
2,5 W
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
24 ns
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
11.7 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
12 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
CSD85312Q3E es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos imágenes de alta definición CSD85312Q3E y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. CSD85312Q3E es ampliamente utilizado en el acceso a la línea fija de banda ancha, la automatización de edificios, el punto de venta electrónico (EPOS).Tensión y otros distribuidores. CSD85312Q3E se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de CSD85312Q3E es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir CSD85312Q3E de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar los bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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