Si el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero no es compatible con el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero debe utilizarse.
Descripción:
SI7900AEDN-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero no es compatible con el sis
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si se trata de un producto de la categoría II, se utilizará el término "producto de la categoría III
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI7900AEDN-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- ¿Qué es eso?71
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1.04 mm
Tiempo de caída:
1,3 µs
Rds en el máximo:
26 mΩ
Número de pines:
8
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
850 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
26 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
6 A
Drene al voltaje de avería de la fuente:
20 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un proyecto de investigación, se trata de un proyecto de investigación.
Cuánto tiempo:
7464 En stock
Aplicaciones:
Teléfonos móviles
Aeroespacial y defensa
Entrega de energía
Ancho:
3.05 mm
Duración:
3.05 mm
Tiempo de subida:
1,3 µs
Horario B:
8541290080
Disposición del poder:
1.5 W
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
8.6 μs
Disposición máxima de energía:
1.5 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
SI7900AEDN-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI7900AEDN-T1-E3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. SI7900AEDN-T1-E3 es ampliamente utilizado en teléfonos móviles, aeroespacial y defensa, entrega de energía. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans, Tenssion y otros distribuidores.SI7900AEDN-T1-E3 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de SI7900AEDN-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI7900AEDN-T1-E3 de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar productos a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
Si7900aedn.pdf
Si7900aedn.pdf
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: