El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
Descripción:
Hoja de datos IPG20N10S4L35AATMA1 pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays detalles del producto
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Fabricante:
Rochester Electrónica
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Se trata de una serie de medidas de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
IPG20N10S4L35AATMA1 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.51
En el caso de la:
Fabricante: Rochester Electrónica.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones
El Monte:
Montura de la superficie
Embalaje:
Cintas y bobinas
Número de pines:
8
Capacitancia entrada:
1.105 nF
Número de canales:
2
Resistencia del En-estado:
45 mΩ
Disposición máxima de energía:
43 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
°C 175
Drene a la resistencia de la fuente:
29 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
20 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuánto tiempo:
9804 En stock
Aplicaciones:
Pro audio, video y señalización
Aeroespacial y defensa
Productos electrónicos portátiles
Alturas:
1,1 milímetros
Rds en el máximo:
35 MΩ
Cantidad del paquete:
5000
Disposición del poder:
43 W
Tiempo de retraso de abertura:
3 ns
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
18 ns
Max Dual Supply Voltage:
Las demás:
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
16 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
°C 175
Drene al voltaje de avería de la fuente:
Las demás:
Introducción
IPG20N10S4L35AATMA1 Visión general\\nIPG20N10S4L35AATMA1 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FET, MOSFET - Arrays bajo Semiconductor discreto.Para los parámetros de rendimiento específicos del producto, por favor consulte la hoja de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos imágenes IPG20N10S4L35AATMA1 de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. IPG20N10S4L35AATMA1 es ampliamente utilizado en audio, video y señalización, aeroespacial y defensa, electrónica portátil. Es fabricado por Rochester Electronics y distribuido por Fans,Tensión y otros distribuidores. IPG20N10S4L35AATMA1 se puede comprar de muchas maneras. Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock,También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de IPG20N10S4L35AATMA1 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede ordenar IPG20N10S4L35AATMA1 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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