IRF7341PBF (en inglés)
Descripción:
IRF7341PBF ficha de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays detalles del producto del stoc
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
IRF7341PBF (en inglés)
Fabricante:
Rochester Electrónica
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Se trata de una lista de los datos que se han recogido en la ficha IRF7341PBF.
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
IRF7341PBF Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.21
En el caso de la:
Fabricante: Rochester Electrónica.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1,4986mm
Tiempo de caída:
13 ns
Tiempo de subida:
3.2 ns
Resistencia:
mΩ 50
Vgs nominal:
1 V
Envasado:
SOIC
Calificación actual:
4,7 A
Plastificación de contacto:
De hojalata
Capacitancia entrada:
Las demás:
Voltado de umbral:
1 V
Tiempo de retraso de abertura:
8,3 ns
Resistencia del En-estado:
mΩ 50
Válvula de tensión nominal (DC):
55 V
Disposición máxima de energía:
2 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
20 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
55 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, el número de personas a las que se re
Cuánto tiempo:
6270 En stock
Aplicaciones:
Información y entretenimiento
Las tabletas
Dispositivos de motor
Ancho:
3.9878 mm
Duración:
4.9784 mm
Embalaje:
Las demás
Rds en el máximo:
mΩ 50
Horario B:
8541290080
Distancia entre filas:
6,3 milímetros
Tiempo de recuperación:
90 ns
Número de pines:
8
Cantidad del paquete:
3800
Disposición del poder:
2 W
Número de elementos:
2
Voltaje de fuente dual:
55 V
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
31 ns
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
65 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
4,7 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
55 V
Introducción
IRF7341PBF es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF, documentos Docx, etc. Tenemos imágenes de alta definición IRF7341PBF y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. IRF7341PBF es ampliamente utilizado en Infotainment & cluster, tabletas, unidades de motor. Es fabricado por Rochester Electronics y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores.IRF7341PBF se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de IRF7341PBF es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir IRF7341PBF de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar los bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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