IRF8313TRPBF
Descripción:
Hoja de datos IRF8313TRPBF pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de las
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
IRF8313TRPBF
Fabricante:
IR (Tecnologías Infineon)
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Se trata de una lista de las medidas que deben adoptarse para garantizar el cumplimiento de los requ
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
IRF8313TRPBF Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.68
En el caso de la:
Fabricante: IR (Infineon Technologies).
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicac
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1,4986mm
Tiempo de caída:
4,2 ns
Tiempo de subida:
9.9 ns
Resistencia:
15.5 mΩ
Vgs nominal:
1,8 V
Número de pines:
8
Capacitancia entrada:
760 pF
Voltado de umbral:
1,8 V
Número de elementos:
2
Resistencia del En-estado:
15.5 mΩ
Configuración del elemento:
- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento:
°C 175
Drene a la resistencia de la fuente:
18.6 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
9,7 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, el número de unidades de producción e
Cuánto tiempo:
7797 En stock
Aplicaciones:
Dispositivos de motor
Pro audio, video y señalización
Aeroespacial y defensa
Ancho:
3.9878 mm
Duración:
4.9784 mm
Embalaje:
Cintas y bobinas
Rds en el máximo:
15.5 mΩ
Horario B:
8541290080
Envasado:
SOIC
Cantidad del paquete:
4000
Disposición del poder:
2 W
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
8,3 ns
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
8,5 ns
Disposición máxima de energía:
2 W
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
20 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
°C 175
Drene al voltaje de avería de la fuente:
30 V
Introducción
IRF8313TRPBF es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, tales como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos IRF8313TRPBF imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. IRF8313TRPBF es ampliamente utilizado en motores, audio, video y señalización, aeroespacial y defensa. Es fabricado por IR (Infineon Technologies) y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores.IRF8313TRPBF se puede comprar de muchas maneras. Usted puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de IRF8313TRPBF es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir IRF8313TRPBF de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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