Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.
Descripción:
SI3590DV-T1-E3 hoja de datos pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de la
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual
Fabricante:
Vishay/Siliconix
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
Si el producto no es compatible con el mercado interior, el valor de referencia se calculará en func
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
SI3590DV-T1-E3 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- No es nada.64
En el caso de la:
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicaciones.
El Monte:
Montura de la superficie
Alturas:
1 milímetro
Peso:
19.986414 mg
Tiempo de subida:
15 ns
Resistencia:
170 mΩ
Vgs nominal:
600 milivoltio
Número de pines:
6
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
5 ns
Disposición máxima de energía:
830 mW
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
12 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente:
30 V
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
Si se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero, el sistema de
Cuánto tiempo:
5736 En stock
Aplicaciones:
Televisión
PC y portátiles
Ancho:
1,65 milímetros
Duración:
3.05 mm
Tiempo de caída:
15 ns
Rds en el máximo:
77 mΩ
Horario B:
8541210080
Envasado:
TSOP
Disposición del poder:
830 mW
Número de elementos:
2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
20 ns
Temperatura máxima de funcionamiento:
150 °C
Drene a la resistencia de la fuente:
170 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
2,5 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Introducción
SI3590DV-T1-E3 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor Discreto.Consulte la ficha de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos SI3590DV-T1-E3 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. SI3590DV-T1-E3 es ampliamente utilizado en TV, PC y notebooks. Es fabricado por Vishay / Siliconix y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores. SI3590DV-T1-E3 se puede comprar de muchas maneras.Puede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico. En la actualidad, tenemos suficientes suministros. Además de nuestro propio stock, también podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidades.Si el suministro de SI3590DV-T1-E3 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de Transistores de Semiconductores Discreto - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir SI3590DV-T1-E3 de los fanáticos con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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