El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad será el siguiente:
Descripción:
Hoja de datos IPG20N10S4L35ATMA1 pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto d
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Número de la parte:
El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad será el sigui
Fabricante:
IR (Tecnologías Infineon)
Descripción:
Hay modelos alternativos disponibles.
Ciclo de vida:
Nuevo de este fabricante
Hoja de datos:
IPG20N10S4L35ATMA1 Hoja de datos PDF
Entrega:
DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información:
IPG20N10S4L35ATMA1 Más información
ECAD:
Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD):
- ¿Qué es eso?37
En el caso de la:
Fabricante: IR (Infineon Technologies).
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama de aplicac
El Monte:
Montura de la superficie
Tiempo de caída:
13 ns
Tiempo de subida:
2 ns
Horario B:
8541290080
Cantidad del paquete:
5000
Disposición del poder:
43 W
Número de elementos:
2
Resistencia del En-estado:
35 MΩ
Disposición máxima de energía:
43 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
°C 175
Drene a la resistencia de la fuente:
29 mΩ
Corriente continua del dren (identificación):
20 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Categoría de productos:
Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Hoja de datos:
IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
Cuánto tiempo:
7000 en stock
Aplicaciones:
Electrónica del cuerpo y iluminación
Proyectores para empresas
Alturas:
1 milímetro
Embalaje:
Cintas y bobinas
Rds en el máximo:
35 MΩ
Número de pines:
8
Capacitancia entrada:
1.105 nF
Número de canales:
2
Tiempo de retraso de abertura:
3 ns
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado:
18 ns
Max Dual Supply Voltage:
Las demás:
Min Temperatura de funcionamiento:
-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs):
16 V
Temperatura máxima de unión (Tj):
°C 175
Drene al voltaje de avería de la fuente:
Las demás:
Introducción
IPG20N10S4L35ATMA1 Vista general\\nIPG20N10S4L35ATMA1 es un modelo perteneciente a la subcategoría de Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays bajo Semiconductor discreto.Para los parámetros de rendimiento específicos del producto, por favor consulte la hoja de datos, como archivos PDF Docx documentos, etc. Tenemos IPG20N10S4L35ATMA1 imágenes de alta definición y hojas de datos para su referencia.Continuaremos produciendo varios archivos de video y modelos 3D para que los usuarios entiendan nuestro producto de manera más intuitiva y completa. IPG20N10S4L35ATMA1 se utiliza ampliamente en la electrónica corporal y la iluminación, proyectores empresariales. Es fabricado por IR (Infineon Technologies) y distribuido por Fans, Tanssion y otros distribuidores.IPG20N10S4L35ATMA1 se puede comprar de muchas manerasPuede hacer un pedido directamente en este sitio web, o puede llamar o enviarnos un correo electrónico.También podemos ajustar el inventario a los distribuidores para satisfacer sus necesidadesSi el suministro de IPG20N10S4L35ATMA1 es insuficiente, también tenemos otros modelos bajo la categoría de transistores de semiconductores discretos - FETs, MOSFETs - Arrays para reemplazarlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Así que usted puede pedir IPG20N10S4L35ATMA1 de los fans con confianza. Sobre la entrega, podemos entregar bienes a nuestros clientes a través de una variedad de logística, tales como DHL, FedEx, UPS,TNT y EMS o cualquier otro agente de transporteSi desea saber más sobre el transporte, no dude en contactarnos para más detalles.
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