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El ciprés semiconductor

CY62167EV30LL-45BVXIT

SRAM 16Mb 3V 45ns el 1M x 16 LP SRAM

Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

Ciclos bloqueados por fase - PLL Análogo

MB3773PF-G-BND-JN-EFE1 y otros

Circuitos de control analógicos

Se aplicará el método de clasificación de los productos.

Memoria Flash ni

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Memoria Flash ni

S34ML02G104TFI010

Memoria flash 2G 3V 25ns NAND Flash

S34ML04G200TFI000

Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash

Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello

S29PL032J70BFI120

Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 70ns NI de destello

S34ML01G100BHI000

Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash

	Imagen	parte #	Descripción	fabricante	Común	RFQ
		CY62167EV30LL-45BVXIT	SRAM 16Mb 3V 45ns el 1M x 16 LP SRAM
		Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	Ciclos bloqueados por fase - PLL Análogo
		MB3773PF-G-BND-JN-EFE1 y otros	Circuitos de control analógicos
		Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Memoria Flash ni
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	Memoria Flash ni
		S34ML02G104TFI010	Memoria flash 2G 3V 25ns NAND Flash
		S34ML04G200TFI000	Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
		Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
		S29PL032J70BFI120	Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 70ns NI de destello
		S34ML01G100BHI000	Memoria Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
		El número de unidades de producción será el siguiente:	Memoria flash 3V 32 Mb Puerta flotante dos dirección 90s
		S29GL064N90TFI010	Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
		Los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	Memoria Flash ni
		S29GL128N90FFAR22: el número de unidades de seguridad de las que se trate.	Memoria Flash ni
		Se aplicará el procedimiento siguiente:	Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
		Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Memoria Flash los 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NI flash
		S25FL116K0XMFI041	Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello
		Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo	Paralelo de memoria Flash 32MB 3.0V 70ns NI de destello de destello
		S34ML01BHV000	Memoria Flash NAND
		S29GL032N90TFI023: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.	Paralelo de memoria Flash 32MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
		S29GL512P11FFI020: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.	Paralelo de memoria Flash 512Mb 3V 110ns NI de destello
		El número de unidades de producción será el siguiente:	Memoria Flash el 16M, 3V, 108Mhz serial NI de destello
		Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor.	Memoria Flash ni
		El número de unidades de producción será el siguiente:	Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
		S71VS128RC0AHK4L0	Memoria Flash ni
		S34ML04G100TFI000	Memoria Flash 4Gb 3V 25ns NAND Flash
		S25FL128P0XNFI003 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías	Memoria Flash ni
		S34ML08G101TFI000	Memoria Flash 8G 3V 25ns NAND Flash
		Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Memoria Flash ni
		S29GL064N90TFI043 Las condiciones de los productos de las categorías 1 y 2 se aplicarán a los productos de las categorías 1 y 2 del presente anexo.	Memoria Flash ni
		S34MS02G100BHI000	Memoria Flash 2Gb, 1.8V, Flash NAND de 45ns
		S34MS08G201BHI000	Memoria Flash NAND
		S29GL064N90FFI010	Paralelo de memoria Flash los 64M 3.0V 90ns NI de destello
		Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.	Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
		El número de unidades de producción será el siguiente:	Memoria Flash 16Mb 3V 65MHz Serie NOR Flash
		El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
		S34ML04G100TFI003 Las condiciones de los productos de los que se trate se especifican en el anexo I.	Memoria Flash 4Gb 3V 25ns NAND Flash
		S25FL164K0XMFI011	Memoria Flash los 64M, 3.0V, 108Mhz serial NI de destello
		S34MS01G200BHI000	Memoria Flash 1Gb, 1.8V, 45ns NAND Flash
		S34ML01G200TFI003 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías	Memoria Flash 1Gb, 3V, 25ns NAND Flash
		S34ML02G100TFI000	Memoria Flash 2Gb 3V 25ns NAND Flash
		S34ML04G200BHI000	Memoria Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
		S25FL032P0XMFI011	Memoria Flash los 32M Cmos 3V 104MHZ seriales NI de destello
		S34MS04G200BHI000	Memoria Flash 4G, 3V, 45ns NAND Flash
		El número de unidades de producción será el siguiente:	Paralelo de memoria Flash 32Mb 3V 90ns NI de destello
		S29GL064N90BFI030: las condiciones de los productos y servicios	Paralelo de memoria Flash 64MB 2.7-3.6V 90ns NI de destello
		S34ML01G200TFI000	Memoria Flash 1Gb, 3V, 25ns NAND Flash
		S29GL064N90TFI030: el número de unidades de producción de las que se trate.	Paralelo de memoria Flash 64Mb 3V 90ns NI de destello
		CY22381FXIT	Generadores de relojes y productos de apoyo 3-PLL Clk Syn IND
		Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Paralelo 64Mb, 3.0V de memoria Flash NI de destello

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Dirección: Habitación 808, Torre A, 8-10 calle Wah Sing, Kwai Chung, Hong Kong

Email: info@aichiplink.com

Teléfono: 86-755-83214964

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Semiconductores

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Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las

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Circuitos integrados de RF

LÓGICA ICS

ICs de potenciales digitales

Filtro activo

Las demás máquinas

Interruptor ICs

Módulos discretos del semiconductor

Diodos y rectificadores

Los tiristores

transistores

CPLD - Dispositivos de lógica programable complejos

Procesadores - el uso se especializó

Sistema de RF en un chip - SoC

Procesadores y controladores de señal digital - DSP, DSC

FPGA - Memoria de configuración

Microprocesadores - MPU

Sistemas en un chip - SoC

Microcontroladores - MCU

FPGA - Matriz de puertas programables de campo

PIN Diodes

Circuitos integrados de RF

Transistores RF

Sistema de RF en un chip - SoC

SCR

Triac

Diacs, SIDAC y otros

Se aplicarán las siguientes condiciones:

FETs, MOSFETs

Bipolaridad (BJT)

IGBTs

Los JFET

Propósito especial

Diodos del RF

Zener

Capacidad variable (varicaps, variadores)

Rectificadores

Salida analógica y digital

Termistores del PTC

Termóstatos - de estado sólido

DTD (detector de temperatura de resistencia)

Termistores NTC

Interruptores (en estado sólido)

Las medidas de control se aplicarán a las medidas de seguridad de los vehículos.

Posición, proximidad y velocidad (módulos) - Industrial

Compas, campo magnético (módulos)

Sensores de imagen, cámara

Detectores fotográficos - Receptor remoto

Las demás

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida del transistor

Sensores de luz ambiente, infrarrojos y UV

Los interruptores fotográficos - Tipo de ranura - Salida lógica

Las demás máquinas de la partida 8411

Producción analógica reflectante

Medición de la distancia

Reflexiva - Logic de salida

Detectores fotográficos - Salida lógica

Productos fotovoltaicos, industriales