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Memoria

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
El número de personas a las que se refiere el artículo 2 del Reglamento (CE) n.o 882/2004 será el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el artículo 2 del Reglamento (CE) n.o 882/2004 será el siguiente:

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se trata de un producto de la categoría "A" de los productos de la categoría "A".

Se trata de un producto de la categoría "A" de los productos de la categoría "A".

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
W25Q128JWPIM

W25Q128JWPIM

FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON DE IC
Productos electrónicos Winbond
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25Q32CSIG

GD25Q32CSIG

IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIG: el número de unidades de producción

GD25Q32CTIG: el número de unidades de producción

IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG

GD25Q16CSIG

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q20CLSNIG

W25Q20CLSNIG

IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Productos electrónicos Winbond
M29F400FB55N3F2

M29F400FB55N3F2

IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
Alianza de la Memoria, Inc.
El número de personas a las que se refiere el artículo 5 del Reglamento (CE) n.o 882/2004 será el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el artículo 5 del Reglamento (CE) n.o 882/2004 será el siguiente:

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25Q80CSIG

GD25Q80CSIG

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Se aplicará el método siguiente:

Se aplicará el método siguiente:

IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25Q127CFIGR: el número de unidades de producción

GD25Q127CFIGR: el número de unidades de producción

El sistema de control de la velocidad de entrada de la unidad de control de la unidad de control de
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR

GD25D10CEIGR

IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

GD25LQ80CTIG: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80EEIGR

GD25Q80EEIGR

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Se aplicará el método siguiente:

Se aplicará el método siguiente:

IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplican las siguientes condiciones:

Se aplican las siguientes condiciones:

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplicará el método siguiente:

Se aplicará el método siguiente:

IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
W25Q512JVBIQ

W25Q512JVBIQ

IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
Productos electrónicos Winbond
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

La RAM IC es de 2 GBIT paralelo a 96TWBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo.

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo.

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOP
Kaga FEI America, inc.
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A

MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
Tecnología de Micron Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25LQ64CSIG

GD25LQ64CSIG

IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Se trata de una medida de protección de los derechos de los ciudadanos.

Se trata de una medida de protección de los derechos de los ciudadanos.

IC FLASH 16MBIT SPI/QPI 8USON
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
W25Q256JWPIM

W25Q256JWPIM

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
Productos electrónicos Winbond
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.

Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.

El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para la obtención
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.

El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se aplicará el método siguiente:

Se aplicará el método siguiente:

IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25LQ32DSIG

GD25LQ32DSIG

IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DSIGR: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

GD25LQ128DSIGR: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.

IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.

Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.

IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Se trata de un sistema de control de las emisiones.

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Productos electrónicos Winbond
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

IC FRAM 64KBIT I2C 3.4MHZ 8SON
Kaga FEI America, inc.
GD9FU1G8F2AMGI

GD9FU1G8F2AMGI

IC FLASH 1GBIT 48TSOP I
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
El número de personas que pueden participar en el programa de trabajo será el siguiente:

El número de personas que pueden participar en el programa de trabajo será el siguiente:

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
GD25Q32CWIGR

GD25Q32CWIGR

IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero

Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
Productos electrónicos Winbond
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la
Productos electrónicos Winbond
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
MT4F4G01ABBFDWB-IT:F

MT4F4G01ABBFDWB-IT:F

IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
Tecnología de Micron Inc.
W25Q32JVSSIM

W25Q32JVSSIM

IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Productos electrónicos Winbond
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