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Semiconductores
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MCC72-08io8B |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
El sistema de control de la velocidad de los vehículos de las categorías IIa y IIIa se utilizará en
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 800A DUAL
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Mujeres de las categorías A y B |
Modulos de semiconductores discretos de 50 A 600 V
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TPS62093RGTT: las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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MCO600-20io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 600 amperes 2000V
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
4.5V a 60V, 1A de alta eficiencia,
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MCD44-16io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
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MMO140-16io7 |
Módulos de semiconductores discretos de 140 A 1600 V
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Los Estados miembros deberán garantizar que: |
El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente se utilizará para controlar la ve
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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LTC3404IMS8 # PBF |
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de la categoría 2 in
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MCC72-08io1B |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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MCD44-16io1B |
Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
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TPS63700DRCT |
AJUSTE 360MA 10VSON DEL REGISTRO BCK BST DE IC
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El TZ400N26KOF |
Los módulos de semiconductores discretos 2600V 1050A
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MAX1759EUB+T |
El valor de las emisiones de CO2 de las bombas de CHRG de IC REG ADJ/3.3V 10UMAX
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MEK75-12DA |
Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
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MDD310-20N1 |
Modulos de semiconductores discretos de 310 amperes 2000V
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Se trata de un proyecto de investigación. |
El sistema de regulación de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de
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MDD312-12N1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1200 V
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LTC3111EDE#PBF |
Ajuste 1.5A 14DFN del REGISTRO BCK BST de IC
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TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente. |
Módulos discretos del semiconductor
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MCC56-08io8B |
Modulos de semiconductores discretos de 56 A 800 V
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LMR36006FSC3RNXTQ1 |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros de la UE se calcularán en funci
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MEE300-06DA: el número de unidades de producción |
Modulos de semiconductores discretos de 300 A 600 V
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LT8331IMSE#WPBF |
Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la eval
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MCO450-20io1 |
Modulos de semiconductores discretos de 450 amperes 2000V
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MCC220-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 220 A 800 V
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LTC3129IMSE#PBF |
Los datos de los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de l
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El TZ800N12KOF |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 1500A SINGLE
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MCD162-18io1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 162 Amperios 1800 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
BOMBA INV 50MA 8SOIC DEL REGISTRO CHARG DE IC
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MCC220-18io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 220 Amperios 1800 V
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El número de unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero será el siguiente:
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El DD260N12K |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos 1600V 410A DUAL
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Los Estados miembros deberán garantizar que la información facilitada por los Estados miembros se utilice de forma correcta. |
El número de unidad de control de velocidad de la unidad de control de velocidad de la unidad de vel
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 350A DUAL
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los módulos de semiconductores discretos 1600V 100A UN-CNTL
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Los datos de las operaciones de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
IC REG BUCK BST ADJ 1.25A 10DFN
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MDD200-22N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 200 Amperios 2200 V
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Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B. |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
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MDD72-08N1B: el número de unidades de producción |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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TPS56C230RJER |
GESTIÓN DEL PODER DE IC
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
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MCC132-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 132 Amperios 800 V
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LTC3245IMSE#PBF |
El número de unidades de carga de la bomba de carga de IC REG ADJ/PRG 12MSOP
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 410A DUAL
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 160A DUAL
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