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Semiconductores

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
MCC72-08io8B

MCC72-08io8B

Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

El sistema de control de la velocidad de los vehículos de las categorías IIa y IIIa se utilizará en
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1600V 800A DUAL
Mujeres de las categorías A y B

Mujeres de las categorías A y B

Modulos de semiconductores discretos de 50 A 600 V
TPS62093RGTT: las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías

TPS62093RGTT: las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías

Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
MCO600-20io1 y sus derivados

MCO600-20io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 600 amperes 2000V
Se trata de un sistema de control de velocidad.

Se trata de un sistema de control de velocidad.

4.5V a 60V, 1A de alta eficiencia,
MCD44-16io8B

MCD44-16io8B

Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
MMO140-16io7

MMO140-16io7

Módulos de semiconductores discretos de 140 A 1600 V
Los Estados miembros deberán garantizar que:

Los Estados miembros deberán garantizar que:

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente se utilizará para controlar la ve
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
LTC3404IMS8 # PBF

LTC3404IMS8 # PBF

Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de la categoría 2 in
MCC72-08io1B

MCC72-08io1B

Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
MCD44-16io1B

MCD44-16io1B

Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
TPS63700DRCT

TPS63700DRCT

AJUSTE 360MA 10VSON DEL REGISTRO BCK BST DE IC
El TZ400N26KOF

El TZ400N26KOF

Los módulos de semiconductores discretos 2600V 1050A
MAX1759EUB+T

MAX1759EUB+T

El valor de las emisiones de CO2 de las bombas de CHRG de IC REG ADJ/3.3V 10UMAX
MEK75-12DA

MEK75-12DA

Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
MDD310-20N1

MDD310-20N1

Modulos de semiconductores discretos de 310 amperes 2000V
Se trata de un proyecto de investigación.

Se trata de un proyecto de investigación.

El sistema de regulación de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de
MDD312-12N1 y sus derivados

MDD312-12N1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1200 V
LTC3111EDE#PBF

LTC3111EDE#PBF

Ajuste 1.5A 14DFN del REGISTRO BCK BST de IC
TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente.

TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente.

Módulos discretos del semiconductor
MCC56-08io8B

MCC56-08io8B

Modulos de semiconductores discretos de 56 A 800 V
LMR36006FSC3RNXTQ1

LMR36006FSC3RNXTQ1

Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros de la UE se calcularán en funci
MEE300-06DA: el número de unidades de producción

MEE300-06DA: el número de unidades de producción

Modulos de semiconductores discretos de 300 A 600 V
LT8331IMSE#WPBF

LT8331IMSE#WPBF

Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la eval
MCO450-20io1

MCO450-20io1

Modulos de semiconductores discretos de 450 amperes 2000V
MCC220-08io1 y sus derivados

MCC220-08io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 220 A 800 V
LTC3129IMSE#PBF

LTC3129IMSE#PBF

Los datos de los datos de las autoridades competentes deberán estar disponibles en el sitio web de l
El TZ800N12KOF

El TZ800N12KOF

Módulos de semiconductores discretos 1200V 1500A SINGLE
MCD162-18io1 y sus derivados

MCD162-18io1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 162 Amperios 1800 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

BOMBA INV 50MA 8SOIC DEL REGISTRO CHARG DE IC
MCC220-18io1 y sus derivados

MCC220-18io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos 220 Amperios 1800 V
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

El número de unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero será el siguiente:
El DD260N12K

El DD260N12K

Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Modulos de semiconductores discretos 1600V 410A DUAL
Los Estados miembros deberán garantizar que la información facilitada por los Estados miembros se utilice de forma correcta.

Los Estados miembros deberán garantizar que la información facilitada por los Estados miembros se utilice de forma correcta.

El número de unidad de control de velocidad de la unidad de control de velocidad de la unidad de vel
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1600V 350A DUAL
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Los módulos de semiconductores discretos 1600V 100A UN-CNTL
Los datos de las operaciones de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.

Los datos de las operaciones de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.

IC REG BUCK BST ADJ 1.25A 10DFN
MDD200-22N1 y sus derivados

MDD200-22N1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos 200 Amperios 2200 V
Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B.

Se aplicará el método de clasificación de los vehículos de las categorías A y B.

Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
MDD72-08N1B: el número de unidades de producción

MDD72-08N1B: el número de unidades de producción

Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
TPS56C230RJER

TPS56C230RJER

GESTIÓN DEL PODER DE IC
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
MCC132-08io1 y sus derivados

MCC132-08io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos 132 Amperios 800 V
LTC3245IMSE#PBF

LTC3245IMSE#PBF

El número de unidades de carga de la bomba de carga de IC REG ADJ/PRG 12MSOP
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1200V 410A DUAL
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1200V 160A DUAL
307 308 309 310 311