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Semiconductores

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
JS28F512P30EFA

JS28F512P30EFA

Las condiciones de las condiciones de trabajo se establecen en el anexo I del presente Reglamento.
Tecnología de micrones
JS28F256P33BFE

JS28F256P33BFE

Las condiciones de las condiciones de producción se determinan por el método de ensayo.
Tecnología de micrones
FZT603TA

FZT603TA

Transistores de Darlington NPN Darlington
Diodos incorporados
IKW20N60T

IKW20N60T

Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 20A
Tecnologías Infineon
ULN2003AN

ULN2003AN

Darlington Transistors Darlington
Las acciones de Texas Instruments
FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

Transistores IGBT de 1200 V con zanja de N-Chan
Semiconductor Fairchild
STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

Transistores IGBT y bipolares de potencia
STMicroelectrónica
STGW45HF60WD

STGW45HF60WD

Transistores IGBT 45A 600V IGBT muy rápido
STMicroelectrónica
FGH60N60SMD

FGH60N60SMD

Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2
Semiconductor Fairchild
FGL40N120ANTU

FGL40N120ANTU

Transistores IGBT 1200V NPT IGBT
Semiconductor Fairchild
El número de unidades es el siguiente:

El número de unidades es el siguiente:

Transistores IGBT con baja pérdida DuoPack 600V 15A
Tecnologías Infineon
IHW30N160R2

IHW30N160R2

Transistores IGBT RC-IGBT mono diodo 1600V 30A
Tecnologías Infineon
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2

Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2

IXYS
IXYX120N120C3

IXYX120N120C3

IXYS
IXGT6N170A

IXGT6N170A

IXYS
FGH60N60UFDTU

FGH60N60UFDTU

Semiconductor Fairchild
FF300R12KT4

FF300R12KT4

Tecnologías Infineon
IXGH6N170A

IXGH6N170A

IXYS
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.

IXYS
FGA25N120ANTD

FGA25N120ANTD

En el caso de las
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

STMicroelectrónica
IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1

IXYS
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Tecnologías Infineon
Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán.

Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán.

Tecnologías Infineon
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.

Tecnologías Infineon
2SD2391T100Q: el valor de las emisiones de CO2

2SD2391T100Q: el valor de las emisiones de CO2

Semiconductor de Rohm
HN1A01FU-Y

HN1A01FU-Y

toshiba
2SC5658T2LQ: las condiciones de las mismas son las siguientes:

2SC5658T2LQ: las condiciones de las mismas son las siguientes:

Semiconductor de Rohm
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.

Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.

Tecnologías Infineon
en el caso de las máquinas de la categoría M2 o M3215

en el caso de las máquinas de la categoría M2 o M3215

Nexperia
MJD112T4G

MJD112T4G

En el caso de las
IXGH16N170

IXGH16N170

IXYS
AUIRG4PH50S

AUIRG4PH50S

Tecnologías Infineon
FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad

FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad

Semiconductor Fairchild
FGH40N60SMDF

FGH40N60SMDF

Semiconductor Fairchild
PBSS9110X,135

PBSS9110X,135

Nexperia
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades

IXYS
FCX790ATA

FCX790ATA

Diodos incorporados
FMMT718TA

FMMT718TA

Diodos incorporados
DZT5551-13

DZT5551-13

Diodos incorporados
MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7

Diodos incorporados
2SB1132

2SB1132

Semiconductor de Rohm
2SB1181TLR: el sistema de control de las emisiones de gases de escape

2SB1181TLR: el sistema de control de las emisiones de gases de escape

Semiconductor de Rohm
BC817-25LT1G

BC817-25LT1G

En el caso de las
2SA1576AT106Q: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero

2SA1576AT106Q: el sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero

Semiconductor de Rohm
Se trata de un sistema de control de velocidad.

Se trata de un sistema de control de velocidad.

Tecnologías Infineon
Las condiciones de funcionamiento de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

Las condiciones de funcionamiento de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.

En el caso de las
Se aplicarán las disposiciones siguientes:

Se aplicarán las disposiciones siguientes:

Tecnologías Infineon
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Tecnologías Infineon
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

En el caso de las
358 359 360 361 362