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Semiconductores discretos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
El DD98N24K

El DD98N24K

Modulos de semiconductores discretos de 2400V y 160A
TZ530N36KOF: el número de unidades

TZ530N36KOF: el número de unidades

Módulos de semiconductores discretos 3600V 1500A
MCD220-08io1 y sus derivados

MCD220-08io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 220 A 800 V
DT61N12KOF

DT61N12KOF

Modulos de semiconductores discretos 1200V 120A
DD171N14K

DD171N14K

Modulos de semiconductores discretos de 1400V 270A
MCD312-14io1 y sus derivados

MCD312-14io1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1400 V
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Módulos de semiconductores discretos de 1200 V a 230 A
TZ630N24KOF

TZ630N24KOF

Módulos de semiconductores discretos 2800V 1500A
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Modulos de semiconductores discretos de 1800 V a 900 A
Mujeres de las categorías A y B

Mujeres de las categorías A y B

Modulos de semiconductores discretos 75 Amperios 600 V
El DD46S12K

El DD46S12K

Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 100 A
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1200V 520A DUAL
MCD250-08io1 y sus derivados

MCD250-08io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
TTB6C165N16LOF: el número de unidades de carga de las que se trate.

TTB6C165N16LOF: el número de unidades de carga de las que se trate.

Modulos de semiconductores discretos 1600V 120A FL-CNTL
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Los módulos de semiconductores discretos 2600V 410A
MCC44-08io1B

MCC44-08io1B

Los módulos de semiconductores discretos 44 Amp 800V
MCO600-18io1 y sus derivados

MCO600-18io1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 600 Amperios 1800 V
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Los módulos de semiconductores discretos 2400V 410A
V61-14.80M

V61-14.80M

Módulos discretos del semiconductor
MDD310-18N1 y sus derivados

MDD310-18N1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1800 V
DZ600N14K

DZ600N14K

Módulos de semiconductores discretos 1400V 1150A
MDD310-16N1 y sus derivados

MDD310-16N1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
MCD220-12io1 y sus derivados

MCD220-12io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 220 Amperios y 1200 V
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Modulos de semiconductores discretos de 1800 V a 410 A
MEK600-04DA, incluidos los demás productos

MEK600-04DA, incluidos los demás productos

Módulos de semiconductores discretos 1200 Amperios 400 V
MDD72-14N1B

MDD72-14N1B

Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1400 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos discretos 1800V 410A del semiconductor DUALES
MCC44-18io8B

MCC44-18io8B

Módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1800 V
VCO180-08io7 (incluido el producto)

VCO180-08io7 (incluido el producto)

Modulos de semiconductores discretos de 180 A 800 V
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Modulos de semiconductores discretos 2000V 410A
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Módulos de semiconductores discretos Doblador de silicio
Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

Modulos de semiconductores discretos 1600V 160A
MCD95-18io1B

MCD95-18io1B

Modulos de semiconductores discretos 95 Amperios 1800 V
V61-14.100NS

V61-14.100NS

Módulos discretos del semiconductor
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1400V 410A DUAL
MCC225-14io1 y sus derivados

MCC225-14io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos 225 Amperios 1400 V
MCC72-08io8B

MCC72-08io8B

Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos 1600V 800A DUAL
Mujeres de las categorías A y B

Mujeres de las categorías A y B

Modulos de semiconductores discretos de 50 A 600 V
MCO600-20io1 y sus derivados

MCO600-20io1 y sus derivados

Modulos de semiconductores discretos de 600 amperes 2000V
MCD44-16io8B

MCD44-16io8B

Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
MMO140-16io7

MMO140-16io7

Módulos de semiconductores discretos de 140 A 1600 V
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Módulos de semiconductores discretos GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
MCC72-08io1B

MCC72-08io1B

Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
MCD44-16io1B

MCD44-16io1B

Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
El TZ400N26KOF

El TZ400N26KOF

Los módulos de semiconductores discretos 2600V 1050A
MEK75-12DA

MEK75-12DA

Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
MDD310-20N1

MDD310-20N1

Modulos de semiconductores discretos de 310 amperes 2000V
MDD312-12N1 y sus derivados

MDD312-12N1 y sus derivados

Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1200 V
TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente.

TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente.

Módulos discretos del semiconductor
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