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Módulos discretos del semiconductor
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MIAA20WE600 TMH |
Modulos de semiconductores discretos de 20 Amperios 600 V
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MII150-12A4 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
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MMO110-14io7 |
Modulos de semiconductores discretos 110 Amperios 1400 V
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MDD250-08N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 800 V
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MCD26-14io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
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MCD72-14io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1400 V
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MCD26-14io1B |
Los módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 1400V
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MCD95-12io8B |
Modulos de semiconductores discretos 95 Amperios 1200 V
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos 75 Amperios 1200 V
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DZ600N08K |
Módulos de semiconductores discretos 0.8KV 735A
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MMO140-12io7 |
Modulos de semiconductores discretos de 140 A 1200 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos 230 Amperios 1200 V
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V89-26.240N |
Módulos discretos del semiconductor
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MCD72-12io8B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1200 V
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MCC220-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 220 Amperios y 1200 V
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MDO500-20N1 |
Modulos de semiconductores discretos 500 Amperios 2000 V
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MCC19-08io1B |
Módulos de semiconductores discretos 19 Amperios 800 V
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V72-14.150M |
Módulos discretos del semiconductor
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MDD56-14N1B |
Modulos de semiconductores discretos de 56 amperes de 1400 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 350A DUAL
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MDD310-14N1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1400 V
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MCD310-16io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos Modulo de diodo rectificador 1600V 89A
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MCC56-12io1B |
Modulos de semiconductores discretos de 56 amperes 1200V
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MII75-12A3 |
Modulos de semiconductores discretos 75 Amperios 1200 V
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Se trata de la ND260N12K |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 2200V 800A DUAL
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DD104N18K |
Módulos de semiconductores discretos de 1800 V a 160 A
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Se trata de la ND171N16K. |
Modulos de semiconductores discretos de 1600 V a 270 A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 520A DUAL
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DT92N12KOF |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 160 A
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MCD250-14io1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1400 V
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V72-26.150m |
Módulos discretos del semiconductor
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VCO132-12io7 |
Modulos de semiconductores discretos 132 Amperios 1200 V
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MCC56-14io8B |
Modulos de semiconductores discretos de 56 amperes de 1400 V
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MDO500-14N1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 500 Amperios 1400 V
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MEA300-06DA, incluidos los demás |
Modulos de semiconductores discretos de 600 A 600 V
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MEA95-06DA: las condiciones de los productos |
Modulos de semiconductores discretos de 190 A 600 V
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MCC44-16io1B |
Módulos de semiconductores discretos Módulo de tiristores 1600V, 44A
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El DD700N22K |
Módulos discretos del semiconductor
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VWO140-14io1 |
Módulos de semiconductores discretos de 140 A 1400 V
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Muchos de los componentes de los equipos de ensayo se utilizaron para el ensayo de los equipos de ensayo. |
Modulos de semiconductores discretos de 15 A 600 V
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El DD380N16K |
Módulos discretos del semiconductor
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MDD312-18N1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1800 V
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MDD310-12N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1200 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1400 V a 410 A
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MCC220-14io1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos de 220 A 1400 V
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MDD255-16N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 255 Amperios 1600 V
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MCC310-08io1 y sus componentes |
Modulos de semiconductores discretos de 310 A 800 V
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VWO35-08ho7 |
Módulos de semiconductores discretos 35 Amperios 800 V
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