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Módulos discretos del semiconductor
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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MDD310-16N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 310 Amperios 1600 V
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MCD220-12io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 220 Amperios y 1200 V
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Modulos de semiconductores discretos de 1800 V a 410 A
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MEK600-04DA, incluidos los demás productos |
Módulos de semiconductores discretos 1200 Amperios 400 V
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MDD72-14N1B |
Módulos de semiconductores discretos 72 Amperios 1400 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos discretos 1800V 410A del semiconductor DUALES
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MCC44-18io8B |
Módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1800 V
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VCO180-08io7 (incluido el producto) |
Modulos de semiconductores discretos de 180 A 800 V
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos 2000V 410A
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
Módulos de semiconductores discretos Doblador de silicio
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Modulos de semiconductores discretos 1600V 160A
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MCD95-18io1B |
Modulos de semiconductores discretos 95 Amperios 1800 V
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V61-14.100NS |
Módulos discretos del semiconductor
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1400V 410A DUAL
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MCC225-14io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 225 Amperios 1400 V
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MCC72-08io8B |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 800A DUAL
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Mujeres de las categorías A y B |
Modulos de semiconductores discretos de 50 A 600 V
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MCO600-20io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 600 amperes 2000V
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MCD44-16io8B |
Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
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MMO140-16io7 |
Módulos de semiconductores discretos de 140 A 1600 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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MCC72-08io1B |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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MCD44-16io1B |
Los módulos de semiconductores discretos 44 Amperios 1600 V
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El TZ400N26KOF |
Los módulos de semiconductores discretos 2600V 1050A
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MEK75-12DA |
Módulos de semiconductores discretos 150 Amperios 1200 V
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MDD310-20N1 |
Modulos de semiconductores discretos de 310 amperes 2000V
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MDD312-12N1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 312 Amperios 1200 V
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TZ530N36KOFS01 Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B deberán cumplirse en el momento en que se produzca el accidente. |
Módulos discretos del semiconductor
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MCC56-08io8B |
Modulos de semiconductores discretos de 56 A 800 V
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MEE300-06DA: el número de unidades de producción |
Modulos de semiconductores discretos de 300 A 600 V
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MCO450-20io1 |
Modulos de semiconductores discretos de 450 amperes 2000V
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MCC220-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos de 220 A 800 V
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El TZ800N12KOF |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 1500A SINGLE
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MCD162-18io1 y sus derivados |
Módulos de semiconductores discretos 162 Amperios 1800 V
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MCC220-18io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 220 Amperios 1800 V
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El DD260N12K |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos 1600V 410A DUAL
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1600V 350A DUAL
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Los módulos de semiconductores discretos 1600V 100A UN-CNTL
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MDD200-22N1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 200 Amperios 2200 V
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MDD72-08N1B: el número de unidades de producción |
Modulos de semiconductores discretos 72 Amperios 800 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Modulos de semiconductores discretos de 1200 V a 410 A
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MCC132-08io1 y sus derivados |
Modulos de semiconductores discretos 132 Amperios 800 V
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 410A DUAL
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Módulos de semiconductores discretos 1200V 160A DUAL
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DZ600N16K |
Modulos de semiconductores discretos 1600V 1150A
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MCD250-12io1 y otras sustancias |
Modulos de semiconductores discretos de 250 A 1200 V
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MCC26-08io1B |
Módulos de semiconductores discretos 26 Amperios 800 V
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DD171N12K |
Módulos de semiconductores discretos de 1200 V 270 A
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